این نوع خازن ها جهت حفاظت از نیمه هادی ها مانند ترانزیستورهای IGBT استفاده می شوند.این خازن ها مدام در حال شارژ و دشارژ می باشند و جریان های پیک بسیار بزرگی را تحمل می کنند. این خازن ها خشک و خود ترمیم می باشند و بصورت سیلندری با بدنه پلاستیکی و توسط رزین PU پوشیده شده اند.این خازن ها از فیلم متالیزه ساخته شده اند و از نوع MKP می باشند.این خازن ها مدار را در برابر تحمل جریان های هجومی بالا مقاوم می سازند و مقاوت سری و اندوکتانس پایینی دارند. این خازن ها در سه گروه دسته بندی می شوند: 1-خازن های سیلندری 2-خازن های کتابی خاکستری 3-خازن های کتابی مشکی شرکت برنا نیروکاران (برنیکا) دارای نمایندگی انحصاری شرکت ZEZ SILKO، در زمینه خرید، فروش، مشاوره و پخش تجهیزات صنعتی و انواع خازن های Damping مانند خازن های اسنابر - IGBT فعالیت دارد.

تعداد بازدید: 998

زیردسته ها
محصولات
  • مدل: PVDJP
  • کد سفارش: PVDJP 1-1,2/10
  • شرکت سازنده: ZEZ Silko
  • کشور سازنده: چک
  • خازن استوانه ای PVDJP 1-1,2/10 جهت حفاظت از نیمه هادی های ترانزیستوری IGBT در سطح ولتاژ 1000 ولت و ظرفیت 10 میکروفاراد با حداکثر جریان 30 آمپر استفاده می شود.

  • مدل: PVDJP
  • کد سفارش: PVDJP 1-1,2/15
  • شرکت سازنده: ZEZ Silko
  • کشور سازنده: چک
  • خازن استوانه ای PVDJP 1-1,2/15 جهت حفاظت از نیمه هادی های ترانزیستوری IGBT در سطح ولتاژ 1000 ولت و ظرفیت 15 میکروفاراد با حداکثر جریان 40 آمپر استفاده می شود.

  • مدل: PVDJP
  • کد سفارش: PVDJP 1-1,2/25
  • شرکت سازنده: ZEZ Silko
  • کشور سازنده: چک
  • خازن استوانه ای PVDJP 1-1,2/25 جهت حفاظت از نیمه هادی های ترانزیستوری IGBT در سطح ولتاژ 1000 ولت و ظرفیت 25 میکروفاراد با حداکثر جریان 50 آمپر استفاده می شود.

  • مدل: PVDJP
  • کد سفارش: PVDJP 1-5/1,7
  • شرکت سازنده: ZEZ Silko
  • کشور سازنده: چک
  • خازن اسنابر استوانه ای PVDJP 1-5/1,7 جهت حفاظت از نیمه هادی های ترانزیستوری IGBT در سطح ولتاژ 4000 ولت و ظرفیت 1.7 میکروفاراد با حداکثر جریان 35 آمپر استفاده می شود.

  • مدل: PVDJP
  • کد سفارش: PVDJP 1-5/6
  • شرکت سازنده: ZEZ Silko
  • کشور سازنده: چک
  • خازن استوانه ای PVDJP 1-5/6 جهت حفاظت از نیمه هادی های ترانزیستوری IGBT در سطح ولتاژ 4000 ولت و ظرفیت 6 میکروفاراد با حداکثر جریان 30 آمپر استفاده می شود.

  • مدل: PVDJP
  • کد سفارش: PVDJP 1-5/10
  • شرکت سازنده: ZEZ Silko
  • کشور سازنده: چک
  • خازن استوانه ای PVDJP 1-5/10 جهت حفاظت از نیمه هادی های ترانزیستوری IGBT در سطح ولتاژ 4000 ولت و ظرفیت 10 میکروفاراد با حداکثر جریان 40 آمپر استفاده می شود.

  • مدل: PVDJP
  • کد سفارش: PVDJP 21-2/5
  • شرکت سازنده: ZEZ Silko
  • کشور سازنده: چک
  • خازن اسنابر استوانه ای PVDJP 21-2/5 جهت حفاظت از نیمه هادی های ترانزیستوری IGBT در سطح ولتاژ 1600 ولت و ظرفیت 5 میکروفاراد با حداکثر جریان 35 آمپر مطابق با استاندارد IEC 61071:2007 استفاده می شود.

  • مدل: PVDJP
  • کد سفارش: PVDJP 21-2/8
  • شرکت سازنده: ZEZ Silko
  • کشور سازنده: چک
  • خازن اسنابر استوانه ای PVDJP 21-2/8 جهت حفاظت از نیمه هادی های ترانزیستوری IGBT در سطح ولتاژ 1600 ولت و ظرفیت 8 میکروفاراد با حداکثر جریان 45 آمپر مطابق با استاندارد IEC 61071:2007 استفاده می شود.

  • مدل: PVDJP
  • کد سفارش: PVDJP 21-2/10
  • شرکت سازنده: ZEZ Silko
  • کشور سازنده: چک
  • خازن اسنابر استوانه ای PVDJP 21-2/10 جهت حفاظت از نیمه هادی های ترانزیستوری IGBT در سطح ولتاژ 1600 ولت و ظرفیت 10 میکروفاراد با حداکثر جریان 50 آمپر مطابق با استاندارد IEC 61071:2007 استفاده می شود.

  • مدل: PVDJP
  • کد سفارش: PVDJP 21-2/12
  • شرکت سازنده: ZEZ Silko
  • کشور سازنده: چک
  • خازن اسنابر استوانه ای PVDJP 21-2/12 جهت حفاظت از نیمه هادی های ترانزیستوری IGBT در سطح ولتاژ 1600 ولت و ظرفیت 12 میکروفاراد با حداکثر جریان 60 آمپر مطابق با استاندارد IEC 61071:2007 استفاده می شود.

  • مدل: PVDJP
  • کد سفارش: PVDJP 21-2,5/3
  • شرکت سازنده: ZEZ Silko
  • کشور سازنده: چک
  • خازن اسنابر استوانه ای PVDJP 21-2,5/3 جهت حفاظت از نیمه هادی های ترانزیستوری IGBT در سطح ولتاژ 2000 ولت و ظرفیت 3 میکروفاراد با حداکثر جریان 30 آمپر مطابق با استاندارد IEC 61071:2007 استفاده می شود.

  • مدل: PVDJP
  • کد سفارش: PVDJP 21-2,5/5
  • شرکت سازنده: ZEZ Silko
  • کشور سازنده: چک
  • خازن اسنابر استوانه ای PVDJP 21-2,5/5 جهت حفاظت از نیمه هادی های ترانزیستوری IGBT در سطح ولتاژ 2000 ولت و ظرفیت 5 میکروفاراد با حداکثر جریان 40 آمپر مطابق با استاندارد IEC 61071:2007 استفاده می شود.

صفحه 1 از 4